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Top :
V GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
6.0 V
5.5 V
10
0
5.0 V
Bottom : 4.5 V
10
0
150 ℃
10
25 ℃
-55 ℃
-1
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
※ Notes :
1. V DS = 50V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
-1
0
1
-1
2
4
6
8
10
12
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
10
8
V GS = 10V
0
V GS = 20V
6
4
2
※ Note : T J = 25 ℃
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0
0
1
2
3
4
5
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature
400
300
200
C iss
C oss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
8
6
V DS = 90V
V DS = 225V
V DS = 360V
100
C rss
※ Note ;
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
4
2
※ Note : I D = 0.5 A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
SSN1N45B Rev. C 0
3
www.fairchildsemi.com
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